斯格明子在行业中的需求主要表现在以下三个方面 ：信息存储、逻辑运算和神经形态计算 光学应用 。该成果以CeMn2Ge2单晶为载体，基于磁阻效应与霍尔效应的关联性，指出了磁斯格明子等手性磁结构除可引起拓扑霍尔效应外，还可诱导产生拓扑磁电阻效应，并实验证明了拓扑磁电阻效应的存在。该研究展示了拓扑霍尔效应之外的拓扑磁结构诱导的电学效应，为进一步构建斯格明子等手性磁结构在磁场作用下的结构演化理论提供了基础信息，同时也为器件化斯格明子提供了一种新的电学探测手段。该工作发表在应用物理学领域顶级期刊Applied Physics Review 上，并被APR编辑部选为Featured Article刊发。
斯格明子作为信息存储的载体具有显著优势。首先，斯格明子具有拓扑保护特性，这使得它们在外部干扰下能够保持稳定，不易被破坏。其次，斯格明子的尺寸可以缩小到纳米级别，这有助于大幅度缩减器件的尺寸，降低能耗 。此外，斯格明子在逻辑运算方面也展现出巨大潜力。由于斯格明子具有拓扑保护特性，它们可以在电流的作用下进行逻辑运算，如与、或、非等操作。这种基于斯格明子的逻辑运算不仅速度快，而且能耗低，有望在未来替代传统的CMOS逻辑电路 。电子在斯格明子中运动的示意图(a)-(f) 为300 K下施加垂直磁场(μ0H∥c)下磁畴结构的演变。(g) 、(h)分别为斯格明子磁泡的放大图及其对应的自旋构型。
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REMn2Ge2（RE=rear earth）系磁泡材料，具有接近室温（~300 K）甚至高于室温的居里温度，相较于传统的斯格明子材料体系的极低居里温度，其在器件实用化更具竞争力。此外，在环境影响下，该体系产生的斯格明子磁泡具手性极易发生改变而极性不易改变。相较于传统手性斯格明子材料，这类材料的手性与极性的本征脱耦更便于对其手性调控。
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