随着高频电子装备集成化及5G通信、物联网、超算及数据中心等战略新兴行业的应用数量骤增，功耗指数级增长，器件散热成为限制关键应用的最大瓶颈。团队围绕节能减排、智能制造、高频通信等国家重大战略对超高导热材料提出的迫切需求，完成了新模式微波CVD研制、低缺陷高导热金刚石生长、器件兼容金刚石增强导热应用验证等内容，发明了氧化物介质层调控界面载流子输运技术，抑制载流子界面复合，获得了高开路电压（1.7V）、抗辐照、长寿命金刚石同位素电池，打破国外技术壁垒，建立自有知识产权体系，装备及材料性能得到行业认可。相关研究成果荣获中国专利金奖。
面议（具体合作方式与投资规模可联系洽谈）
该技术采用自研设备配套晶体生长工艺，提升金刚石热导率突破2400W/(m·K)，协同实现了金刚石高品质及高速率两个关键要素，降低成本，有助于产业化应用。突破了金刚石三维集成封装的通孔加工宏量制备与沉铜电连接技术瓶颈，界面连接强度提高5倍以上，微波功率器件电流密度提升10%以上。【典型应用】该技术可广泛应用于金刚石材料生长制备，用于下一代半导体衬底研发、半导体散热、高能激光/微波窗口等领域。相关研究成果成功应用于中国电科集团GaN器件、华为相关散热应用等。金刚石MPCVD生长装备及材料
超高强镁合金及其制备成形技术
技术茂
登录
免费发布信息
